Высокая выходная мощность и детализация звучания в достаточно небольшом корпусе. Идеален для построения многокомпонентных систем. Широкий полосовой фильтр с независимой регулировкой верхней и нежней границ. Высокое качество звучания. Расширенный частотный диапазон. MOSFET транзисторы.
Технические характеристики
Класс
D
Номинальная выходная мощность (4 Ом), Вт
8х120
Номинальная выходная мощность (2 Ом), Вт
8х160
Номинальная выходная мощность в мостовом включении (4 Ом), Вт
4х320
Диапазон частот(-3дБ), Гц, не уже
10-50000
Коэффициент гармонических искажений, %, не более
0,05
Разделение каналов, дБ, не менее
60
Входная чувствительность, В
0,2 – 6
Взвешенное отношение сигнал/шум (МЭК А), дБ, не менее
100
Пределы регулировки ФНЧ (12 дБ/окт), Гц
10-8000
Пределы регулировки ФВЧ (12 дБ/окт), Гц
10-8000
Пределы регулировки границ полосового фильтра (12 дБ/окт), Гц
10-8000
Размеры, мм
390 × 260 × 51
Технические характеристики
Класс
D
Номинальная выходная мощность (4 Ом), Вт
8х120
Номинальная выходная мощность (2 Ом), Вт
8х160
Номинальная выходная мощность в мостовом включении (4 Ом), Вт
4х320
Диапазон частот(-3дБ), Гц, не уже
10-50000
Коэффициент гармонических искажений, %, не более
0,05
Разделение каналов, дБ, не менее
60
Входная чувствительность, В
0,2 – 6
Взвешенное отношение сигнал/шум (МЭК А), дБ, не менее
100
Пределы регулировки ФНЧ (12 дБ/окт), Гц
10-8000
Пределы регулировки ФВЧ (12 дБ/окт), Гц
10-8000
Пределы регулировки границ полосового фильтра (12 дБ/окт), Гц
10-8000
Размеры, мм
390 × 260 × 51