Технические характеристики
Класс AB
Номинальная выходная мощность (4 Ом), Вт:
4х150
Номинальная выходная мощность (2 Ом), Вт:
4х260
Номинальная выходная мощность мостовое подключение (4 Ом), Вт:
2х470
Диапазон частот(-3дБ), Гц, не уже:
10-50000
Коэффициент гармонических искажений, % не более:
0,05
Разделение каналов, Дб, не менее:
60
Входная чувствительность, В:
0,2 – 6
Взвешенное отношение сигнал/шум (МЭК А), дБ, не менее:
100
Пределы регулировки ФНЧ (12 дБ/окт), Гц:
10–8000
Пределы регулировки ФВЧ (12 дБ/окт), Гц:
10–8000
Регулировка усиления баса (45 Гц), дБ:
0–9
Размеры, мм:
450х230х55
Потребительское описание
Высокая выходная мощность. Развитые фильтры (от 10 до 8 000 Гц на каждый канал). Расширенный частотный диапазон. Возможность подключения по мостовой схеме. Mosfet транзисторы.
Класс AB
Номинальная выходная мощность (4 Ом), Вт:
4х150
Номинальная выходная мощность (2 Ом), Вт:
4х260
Номинальная выходная мощность мостовое подключение (4 Ом), Вт:
2х470
Диапазон частот(-3дБ), Гц, не уже:
10-50000
Коэффициент гармонических искажений, % не более:
0,05
Разделение каналов, Дб, не менее:
60
Входная чувствительность, В:
0,2 – 6
Взвешенное отношение сигнал/шум (МЭК А), дБ, не менее:
100
Пределы регулировки ФНЧ (12 дБ/окт), Гц:
10–8000
Пределы регулировки ФВЧ (12 дБ/окт), Гц:
10–8000
Регулировка усиления баса (45 Гц), дБ:
0–9
Размеры, мм:
450х230х55
Потребительское описание
Высокая выходная мощность. Развитые фильтры (от 10 до 8 000 Гц на каждый канал). Расширенный частотный диапазон. Возможность подключения по мостовой схеме. Mosfet транзисторы.